Рефераты Дифференциальный усилитель

Вернуться в Электроника

Дифференциальный усилитель
Московский Государственный Авиационный Институт(Технический Университет)Пояснительная запискак курсовому проекту по курсу "Технология аппаратуры САУ".Дифференциальный усилитель.Выполнил студент группы Консультант: / /Принял преподаватель: / /Москва, 1995 год. Содержание:1. Техническое задание...............................................32. Анализ технического задания................................63. Выбор материалов, расчет элементов..................64. Выбор подложки......................................................85. Технологический маршрут.....................................86. Выбор корпуса ГИС................................................87. Оценка надежности.................................................98. Список литературы.................................................11 Заданиена разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения.Дифференциальный усилитель.Дифференциальный усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.Схема электрическая принципиальная:Смотрите на следующей странице (рисунок 1). Рисунок 1 : Схема электрическая принципиальная Технические требования:Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:- повышенная предельная температура +85 С;- интервал рабочих температур -20 С...+80 С;- время работы 8000 часов;- вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;- линейное ускорение до 15G.Исходные данные для проектирования:1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска - 18000 штук.2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе.3. Значения параметров:Позиционное обозначение: Наименование: Количество: Примечание:R1,R3,R5 резистор 4КОм 10% 3 Р=3,4мВтR2 резистор 1,8КОм 10% 1 Р2=5,8мВтR4 резистор 1,7КОм 10% 1 Р4=2,2мВтR6 резистор 5,7ком 10% 1 Р6=2,6мВтVT1,VT4 транзистор КТ318В 2 Р=8мВтVT2 транзистор КТ369А 1 Р=14мВтVT3 транзистор КТ354Б 1 Р=7мВтНапряжение источника питания: 6,3 В 10%.Сопротивление нагрузки не менее: 20 КОм. 1. Анализ технического задания.Гибридные ИМС (ГИС) - это интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры.Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет.Условия эксплуатации изделия нормальные.2. Выбор материалов, расчёт элементов, выбор навесных компонентов.В качестве материала подложки выберем ситалл СТ50-1.Транзисторы выберем как навесные компоненты.VT1,VT4-КТ318В,VT2-КТ369А,VT3-КТ354Б.По мощностным параметрам транзисторы удовлетворяют ТЗ. По габаритным размерам они также подходят для использования в ГИС.Рассчитаем плёночные резисторы.Определим оптимальное сопротивлениеквадрата резистивной плёнки из соотношения: опт=[( Ri)/( 1/Ri)]^1/2. опт=3210(Ом/ ).По полученному значению выбираем в качестве материала резистивной плёнки кермет К-20С. Его параметры: опт=3000 ОМ/ , Р0=2 Вт/см^2, r=0.5*10^-4 1/ С.В соответствии с соотношением 0rt= r(Тmax-20 C) 0rt=0.00325, а допустимая погрешность коэффициента формы для наиболее точного резистора из 0кф= 0r- 0 - 0rt- 0rст- 0rкравно 0кф=2.175. Значит материал кермет К-20С подходит.Оценим форму резисторов по значению Кф изКфi=Ri/ опт .Кф1,3,5=1.333, Кф2=0.6, Кф6=1.9, Кф4=0.567.Поскольку все резисторы имеют прямоугольную форму, нет ограничений по площади подложки и точность не высока, выбираем метод свободной маски. По таблице определяем технологические ограничения на масочный метод: b= l=0
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100