Рефераты Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

Вернуться в Электроника

Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
Государственный комитет по высшей школе. Московский Государственный Институт Электроники и Математики (Технический Университет) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ Кафедра: МЭТ Руководитель: Фонарев Исполнитель: Ференец Дмитрий Александрович Группа: АП-41 Москва, 1995 г. Предварительные сведения. В данном реферате рассматриваются технологии, связанные сособенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах.Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Ана-лизируются основные этапы автоматизированного процесса пректирова-ния. ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС. СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС. БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. Характерной тенденцией развития элементной базы современнойэлектронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степениинтеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускоре-ния темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС иСБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существованиедвух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупно-серийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производствакоторых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительнобольшие затраты на их проектирование и конструирование оправдыва-ются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного видаполупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стан-дартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко второму классу,при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпус-каются для удовлетворения нужд отдельных отраслей промышленности.Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами наих проектирование. Основным средством снижения стоимости проектирования и, глав-ное, ускорения темпов разработки новых видов микроэлектронной ап-паратуры являются системы автоматизированного проектирования(САПР). В результате совместных действий конструкторов, направлен-ных на уменьшение сроков и снижение стоимости проектирования БИС иСБИС, появились так называемые полузаказные интегральные микросхе-мы, в которых топология в значительной степени определяется унифи-цированной конструкцией кристалла. Первые схемы, которые можно от-нести к данному классу, появились в 60-х годах. Они изготавлива-лись на унифицированном кристалле с фиксированным расположениемфункциональных элементов. При этом проектирование заключалось вназначении функциональных элементов схемы на места расположениясоответствующих функциональных элементов кристалла и проведениисоединений. Такой кристалл получил название базового, посколькувсе фотошаблоны (исключая слои коммутации) для его изготовленияявляются постоянными и не зависят от реализуемой схемы. Эти крис-таллы, однако, нашли ограниченное применение из-за неэффективногоиспользования площади кристалла, вызванного фиксированным положе-нием функциональных элементов на кристалле. Для частичной унификации топологии интегральных микросхем(ИС) использовалось также проектирование схем на основе набора ти-повых ячеек. В данном случае унификация состояла в разработке то-пологии набора функциональных (типовых ячеек, имеющих стандартизо-ванные параметры (в частности, разные размеры по вертикали). Про-цесс проектирования при этом заключался в размещении в виде гори-зонтальных линеек типовых ячеек, соответствующих функциональнымэлементам схемы, в размещении линеек на кристалле и реализациисвязей, соединяющих элементы, в промежутках между линейками. Шири-на таких промежутков, называемых каналами, определяется в процессетрассировки
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100