Рефераты Конструирование микросхем и микропроцессоров

Вернуться в Электроника

Конструирование микросхем и микропроцессоров
Московский Государственный институт электрони-ки и математики(Технический университет) Кафедра: РТУиС Пояснительная запискапо выполнению курсового проекта на тему:"Конструирование микросхем и микропроцессоров" Выполнил: студент группы Р-72 Густов А.М. Руководитель: доцент кафедры РТУиС, кандидат технических наук Мишин Г.Т.Москва, 1994Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Рис. 1. Схема электрическая принципиальнаяТаблица 1. Номиналы элементов схемы:Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент НоминалR1 950 Ом R7 4,25 кОм R13 1 кОм R19 1 кОмR2 14 кОм R8 12,5 кОм R14 3,5 кОм C1 3800 пФR3 45 кОм R9 500 Ом R15 10 кОм VT1-VT8 КТ 312R4 35 кОм R10 3 кОм R16 3,5 кОм E 7,25 ВR5 12,5 кОм R11 10 кОм R17 2,5 кОм R6 950 Ом R12 500 Ом R18 1 кОм Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке. Рис. 2. Возможная схема включенияТаблица 2. Номиналы элементов схемы включенияЭлемент Номинал Элемент НоминалRA 8,2 кОм CB 1 мкФRB 43 Ом CC 0,033 мкФRC 2,2 кОм CD 0,015 мкФRD 1,5 кОм CE 4700 пФCA 3300 пФ CF 3300 пФТехнические требования: Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиаль-ной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе. Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:" предельная рабочая температура - 150 С;" расчетное время эксплуатации - 5000 часов;" вибрация с частотой - 5-2000 Гц;" удары многократные с ускорением 35;" удары однократные с ускорением 100;" ускорения до 50. Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.Аннотация Целью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной технологии. В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили ре-зультаты: - произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического мо-делирования "VITUS", в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов; - произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необ-ходимые для выбора топологии микросхемы; - произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а так-же в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между эле-ментами; - выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с раз-мещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79. Введение Приведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы: Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выпол-ненный на составном транзисторе Т7, Т8
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100