Рефераты Конструирование и технология производства ЭВА

Вернуться в Электроника

Конструирование и технология производства ЭВА
Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знаменигосударственный технический университет им. Н. Э. БауманаКурсовой проектпо курсу "Конструирование ЭВС"студент: Вилинский Д. группа ИУ4-92консультант: Шахнов В. А.Москва 1997 ОГЛАВЛЕНИЕТехническое задание.........................................................................Подбор элементной базы..................................................................Расчет теплового режима блока.......................................................Расчет массы блока..........................................................................Расчет собственной частоты ПП......................................................Расчет схемы амортизации..............................................................Расчет надежности по внезапным отказам......................................Литература........................................................................................ 3451313141618 ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ1. Назначение аппаратуры.Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для установки в управляемый снаряд. Функционально блок предназначен для свертки сигнала принимаемого бортовой РЛС.2. Технические требования: а) условия эксплуатации: - температура среды tо=30 оC; - давление p = 1.33 104 Па; б) механические нагрузки: - перегрузки в заданном диапазонеf, Гц 10 30 50 100 500 1000g 5 8 12 20 25 30 - удары u = 50 g; в) требования по надежности: - вероятность безотказной работы P(0.033) 0.8.3. Конструкционные требования: а) элементная база - микросхемы серии К176 с КМДП логикой; б) мощность в блоке P 27 Вт; в) масса блока m 50 кг; г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71; д) тип амортизатора АД -15; е) условия охлаждения - естественная конвекция. ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫПоскольку проектируемый электронно-вычислительный блок яв-ляется бортовой аппаратурой, то к нему предъявляются следующие требования:" высокая надежность;" высокая помехозащищенность;" малая потребляемая мощность;Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры.Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наибо-лее перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей помехоустойчивостью: 40...45 % от напряжения источника питания. Отличительная особенность ЦИС на КМДП-транзисторах - также высокая эффективность использования источника питания: перепад выходного напряжения элемента почти равен напряжению источника питания. Такие ЦИС не чувствительны к изменениям напряжения питания. В элементах на КМДП-транзисторах полярности и уровни входных и выходных напряжений совпадают, что позволяет использовать непосредственные связи между элементами. Кроме того, в статическом режиме их потребляемая мощность практически равна нулю.Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики: дополняющие МОП-структуры). Конкретно были выбраны две микросхемы:" К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ;" К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ.Параметр К176ЛЕ5 К176ЛА7Входной ток в состоянии "0", Iвх0, мкА, не менее -0.1 -0.1Входной ток в состоянии "1", Iвх1, мкА, не более 0.1 0.1Выходное напряжение "0", Uвых0, В, не более 0.3 0.3Выходное напряжение "1", Uвых1, В, не менее 8.2 8.2Ток потребления в состоянии "0", Iпот0, мкА, не более 0.3 0.3Ток потребления в состоянии "1", Iпот1, мкА, не более 0.3 0.3Время задержки распространения сигнала при включении tзд р1,0, нс, не более 200 200Время задержки распространения сигнала при включении tзд р0,1, нс, не более 200 200Предельно допустимые электрические режимы эксплуатацииНапряжение источника питания, В 5 - 10 ВНагрузочная способность на логическую микросхему, не более 50Выходной ток Iвых0 и Iвых1, мА, не более 0
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100