Рефераты Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Вернуться в Аппаратное обеспечение и компьютерные сети

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Государственный комитет РФ по высшему образованиюНовгородский Государственный университет им. Ярослава МудрогоКафедра физики твердого тела и микроэлектроники"РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙВ КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ"Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники" Выполнил Студент группы 7033у Н.Е.Родин Проверил Преподаватель кафедры ФТТМ Б.М.Шишлянников 1998ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕна курсовую работу по дисциплине"Физико-химические основы технологии микроэлектроники"Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводниково-го материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).материал кремний примеси - Ga,P и Sbисходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и предста-вить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной рас-творимости. Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффу-зии:" при условии бесконечного источника примеси на поверхности пласти-ны и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии - 30 мин." при температуре 950 оС; время диффузии - 30 мин." после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии - 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.Преподаватель........................................Б.М. ШишлянниковСтудент .....................................................Н.Е. РодинРеферат.В курсовом проекте производится расчет распределения приме-си вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диф-фузионного отжига при различных условиях диффузии.Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии. Содержание. Введение
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100