Рефераты Полупроводниковые приборы

Вернуться в Электроника

Полупроводниковые приборы
Комитет по высшей школе КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (КубГУ) кафедра физики полупроводников Допустить к защите в ГЭК "..."............1996 г. Заведующий кафедрой профессор Муравский Б.С. Д И П Л О М Н А Я Р А Б О Т А "ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СЛОИСТЫХ СТРУКТУР" Проект выполнил дипломник Калугин Валентин Лайошевич Группа ......факультет физический специальность 01.04. Руководитель работ ...........профессор Муравский Б.С. Нормоконтролер ................. доцент Жужа М.А. Краснодар 1996. В В Е Д Е Н И Е Современные условия жизни требуют от студентов хорошую тео-ретическую подготовку и, что особенно важно, практические знанияи умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умею-щий работать со сложными приборами и установками, самостоятельноизучать научную литературу и делать необходимые выводы, имеетзначительные шансы на успех в своей деятельности. Важное место в подготовке квалифицированных специалистов от-водится лабораторному эксперименту, который является одной из ос-новных форм самостоятельной работы студентов. Главная роль лабо-раторных работ заключается в том, что студенты сталкиваются с ре-альными задачами и проблемами, учатся практически оценивать полу-ченные результаты.  _Цель дипломной работы . поставить лабораторную работу исследо-вательского характера и разработать методику ее выполнения дляпрактикума по физике полупроводниковых приборов с исследованиемвольт-амперных характеристик не только ставших широко известныхполупроводниковых приборов диодов и транзисторов, но и абсолютноновых приборов разработанных и исследуемых на кафедре - ТУННЕЛИС-ТОР и БИСПИН. Изучение новых, не описанных в широкой научной литературеполупроводниковых структур должно стимулировать студента к самос-тоятельной и вдумчивой работе и заставить серьезно вникнуть всуть происходящих явлений внутри кристаллов. Дополнительная цель данной работы - это составление теорети-ческой и практической части лабораторного эксперимента доступнымязыком без изобилия сложных технических терминов, что позволитсделать работу легко читаемой и доступной для понимания. 1. ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ. С момента изобретения полупроводниковых приборов, они нашлиширокое применение в самой разнообразной аппаратуре. Это связанос их преимуществами перед вакуумными лампами, отсутствие цепейнакала, миниатюрное конструктивное оформление, высокая механичес-кая прочность и практически мгновенная готовность к работе, чтопозволило коренным образом изменить внешний облик и функциональ-ные возможности аппаратуры. Дальнейшее развитие полупроводниковой электроники пошло дву-мя путями:- по пути интеграции дискретных активных и пассивных элементов водной гибридной или монолитной схеме;- по пути создания принципиально новых полупроводниковых прибо-ров, которые заменяют целые узлы в радиоэлектронной аппаратуре,что многократно уменьшает ее вес, габариты и увеличивает надеж-ность. В настоящее время создано огромное количество интегральныхсхем и исследовать их характеристики просто не имеет смысла, таккак обычно серьезные производители прилагают к своим изделиямподробные описания, но основные элементы микросхем не так много-численны. Это диоды, стабилитроны, стабисторы, туннельные диоды,диоды с баръером Шоттки, полевые и биполярные транзисторы, тирис-торы и семисторы, варикапы. Благодаря научно-исследовательскойработе сотрудников КубГУ появились новые полупроводниковые струк-туры: ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН.[1,2] Из учебников по физике полупроводников /3/ нам известно, чтокаждый полупроводниковый прибор или структура должна обладатьсвоими специфическими характеристиками благодаря которым такиеприборы возможно использовать для построения радиоэлектронной ап-паратуры
10 11 12 13 14 15 16 
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100