Рефераты Вторично-ионная масс-спектрометрия

Вернуться в Физика

Вторично-ионная масс-спектрометрия
Вторично-ионная масс-спектрометрия



Содержание

Введение 3

Взаимодействие ионов с веществом 3

Вторично-ионная эмиссия 5

Оборудование ВИМС. 8

Принцип действия установок. 9

Установки, не обеспечивающие анализа распределения частиц по поверхности 10

Установки, позволяющие получать сведения о распределении 11

элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом

Установки с прямым изображением 11

Порог чувствительности 12

Анализ следов элементов 14

Ионное изображение 16

Требования к первичному ионному пучку 17

Масс-спектрометрический анализ нейтральных 18

распыленных частиц

Количественный анализ 19

Глубинные профили концентрации элементов 22

Приборные факторы, влияющие на разрешение 23

по глубине при измерении профилей концентрации

Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение 25

по глубине при измерении профилей концентрации

Применения 26

Исследование поверхности 26

Глубинные профили концентрации 27

Распределение частиц по поверхности, 27

микроанализ и объемный анализ

Заключение 27

Список литературы 29 Введение

Возможности получения сведений о составе внешнего атомного слоя твердого тела значительно расширялись всвязи с разработкой и усовершенствованием метода вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и других методов. Большинство таких методов близки к тому, чтобы анализировать саму поверхность, поскольку основная информация о составе материала поступает из его приповерхностной области толщиной порядка 10А, а чувствительность всех таких методов достаточна для обнаружения малых долей моноатомного слоя большинства элементов.

Взаимодействие быстрых ионов с твердым телом приводит к выбиванию атомов и молекул материала как в нейтральном, так и в заряженном состоянии. На таком явлении сравнительного эффективного образования заряженных частиц (вторичных ионов) и на принципе высокочувствительных масс-спектрометрических измерениях и основан метод ВИМС. Хотя у него, как у любого другого метода, имеются свои недостатки, только он один дает столь широкие возможности исследования и поверхности, и объема твердого тела в одном приборе. Наиболее важными характерными особенностями метода, которые вызывают повышенный интерес к нему, являются очень низкий порог чувствительности для большинства элементов (меньше 10-4 моноатомного слоя), измерение профилей концентрации малых количеств примесей с разрешение по глубине меньше 50А, разрешение по поверхности порядка микрометра, возможность изотопического анализа и обнаружение элементов с малыми атомными номерами (H, Li, Be и т. д.)

Взаимодействие ионов с веществом


Фиг.1. Виды взаимодействий ионов с твердым телом [2].

В этом разделе рассматривается поведение ионов высоких энергий (1 - 100 кэВ), попадающих на поверхность твердого тела. Фиг.1 иллюстрирует 10 разновидностей взаимодействия ионов с поверхностью [2]. Падающий ион может обратно рассеиваться атомом или группой атомов бомбардируемого образца (1). Процесс обратного рассеяния обычно приводит к отклонению траектории иона от первоначального направления после столкновения и к обмену энергией между ионом и атомом мишени. Обмен энергией может быть упругим и неупругим в зависимости от типа взаимодействующих частиц и энергии иона.

Импульс иона может быть достаточно велик для того, чтобы сместить поверхностный атом из положения, где он слабо связан с кристаллической структурой образца, в положение, где связь оказывается сильнее (2). Этот процесс называется атомной дислокацией. Ионы с более высокими энергиями могут вызывать внутренние дислокации в толще образца (3). Если соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой импульс, что полностью освобождают от связей один или несколько атомов, происходит физическое распыление (4)

10 11 12 13 14 15 16 17 
Добавить в Одноклассники    

 

Rambler's Top100